檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "碳化矽".ckeyword (精準) and ckeyword.raw="搖擺模式"
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單晶碳化矽(SiC)為第三代半導體材料之一,其在材料特性上擁有許多項優點,如:「低漏電流特性、較高熱傳導率、耐化學性及寬能隙等」,而其高硬度及耐化學性質造成碳化矽基板製造困難,且在複線式鑽石線鋸…
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單晶碳化矽(SiC)晶圓是眾所矚目的第三代半導體材料之一,其低漏電流特性、較高的熱傳導率、寬能隙(WBG)和耐化學性,廣泛應用於高功率及高電壓能量轉換裝置元件,然而碳化矽的硬度和脆性使其鑽石線鋸切割…
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在材料特性以及機械性質上相較於其他半導體材料,具有更明顯的優勢,如具有高崩潰電壓及低的阻抗,在高功耗應用端以及半導體市場中越來越受矚目,但也…